iPhone 6s : 2 Go de RAM en LPDDR4 pour le prochain téléphone pommé ?
Apple s’est toujours contenté du strict minimum pour la mémoire vive de ses terminaux nomades. L’iPhone 6 et l’iPhone 6 Plus ne dérogent bien évidemment pas à la règle puisqu’ils intègrent 1 Go de mémoire vive en LPDDR3. Ce n’est pas énorme, certes, mais la situation pourrait changer prochainement, avec l’iPhone 6s. Enfin si l’on en croit une mystérieuse source taïwanaise.
La prudence est évidemment de mise, comme à chaque fois avec ce genre de rumeurs. Le prochain téléphone imaginé par Apple ne sortira de toute façon pas avant le second semestre de l’année, alors beaucoup de choses peuvent encore changer et il faut bien garder cette idée en tête avant de poursuivre la lecture de cet article.
Si l’on en croit un site taïwanais, le prochain iPhone devrait donc aller un peu plus loin que ses prédécesseurs en matière de mémoire vive, et il serait ainsi censé embarquer pas moins de 2 Go de RAM. Incroyable, non ? Certes, mais ce n’est pas fini car nous aurions même droit à de la LPDDR4.
L’iPhone 6s pourrait être le premier téléphone d’Apple a atteindre les 2 Go de mémoire vive, au format LPDDR4
Et donc à des taux de transferts bien plus importants puisque ce format monte jusqu’à 4 266 MT/s, contre 3 200 pour le LPDDR3. Plus d’infos sur la Wikipédia.
Bien, mais ce n’est pas fini. Toujours selon la même source, la production de ce module pourrait être confiée à trois sociétés distinctes : Hynix, Micro-Elpida et… Samsung. Que voulez-vous, le coréen est toujours dans les bons coups. Le premier se chargerait de la moitié de la production, tandis que les deux autres se partageraient le reste.
Crédible ? Assez, oui, d’autant que la Pomme Croquée a souvent été critiquée là dessus. Maintenant, il ne faut pas perdre de vue que iOS est spécialement optimisé pour tous ses terminaux, et ce quelle que soit la quantité de mémoire vive embarquée. 2 Go de mémoire vive sur l’iPhone 6s, cela ne changerait sans doute pas grand chose au niveau du ressenti de l’utilisateur.
