Evan Blass en est convaincu, le Galaxy Note 10 sera bien équipé d’un Snapdragon 855+ et donc de la toute dernière puce haut de gamme de l’incontournable Qualcomm. Et le reste de sa fiche technique devrait être à la hauteur du processeur.
Présenté un peu plus tôt dans le mois, le Snapdragon 855+ ne vient pas franchement réinventer la roue.
Il reprend en effet l’architecture du Snapdragon 855 tout en la poussant un peu plus loin, notamment au niveau des fréquences.
Le Galaxy Note 10 aurait bien droit à un Snapdragon 855+ finalement
Afin de lui donner un peu plus de répondant, Qualcomm a en effet décidé d’overcloker les Kryo 485 pour leur faire atteindre les 2,96 GHz, contre “seulement” 2,84 GHz pour ceux présents à bord de la version de base. Même chose pour le GPU Adreno 640 qui bénéficie lui aussi d’un léger gain de puissance afin d’offrir des performances irréprochables.
Lors de la présentation de sa nouvelle puce, Qualcomm a laissé entendre que les premiers appareils à en profiter ne sortiront pas avant le second semestre. Roland Quandt en a donc déduit que le Galaxy Note 10 et le Galaxy Note 10+ risquaient de faire l’impasse dessus.
Cela ne sera cependant pas le cas. Pas d’après Evan Blass en tout cas.
Le leakeur a en effet publié un peu plus tôt dans la semaine un récapitulatif de la fiche technique du modèle de base. D’après lui, le Galaxy Note 10 sera donc bien propulsé par un Snapdragon 855+ et ce dernier sera même couplé à 8 Go de mémoire vive, avec pas moins de 256 Go de stockage à la clé.
Une fiche technique solide
Evan s’attend également à retrouver à son bord une batterie de 3600 mAh compatible avec la charge rapide 45 W. Le terminal devrait également être capable de charger d’autres appareils sans fil avec une puissance atteignant cette fois les 15 W. Quant à son écran, il atteindrait une diagonale de 6,3 pouces avec une fréquence calée à 60 Hz.
Le Galaxy Note 10+ sera un peu plus grand pour sa part et il atteindra ainsi les 6,8 pouces de diagonale. Ce qui se traduira par une batterie offrant une capacité accrue et tournant autour des 4300 mAh. L’appareil serait aussi équipé d’un lecteur de cartes micro SD et il devrait embarquer un capteur de plus, un capteur consacré au calcul de la profondeur de champ.
A noter que ces deux téléphones seraient équipés du même S-Pen, un S-Pen compatible avec ce que le leakeur désigne comme des “Air Gestures”.