Le Kirin 980 vient de fuiter, et il ne manquera pas de puissance

Le futur processeur haut de gamme de HiSilicon, le Kirin 980, vient de faire l’objet d’une fuite en provenance de Chine. Apparemment, il promet du lourd et risque de faire mal au Snapdragon 855.

Pour concurrencer le Snapdragon 855 de Qualcomm, la filiale de Huawei, HiSilicon, prépare un nouveau SoC positionné sur le haut de gamme, le Kirin 980. Successeur direct du Kirin 970 qui propulse le Huawei P20 Pro, il est censé faire preuve d’une meilleure performance. À ce propos, un nouveau leak provenant de Chine, relayé par Gsmarena, nous donne un aperçu de la configuration et de la puissance de ce futur composant phare de la marque.

Kirin 660

Le moins que l’on puisse dire est que Qualcomm risque d’avoir du mal à faire face au Kirin 980 avec le Snapdragon 855. En effet, la fuite suggère une puce réellement performante.

Un processeur doté de cœurs Cortex-A77 cadencé à 2,8 GHz

À en croire ce récent leak, les quatre cœurs Cortex-A77 du Kirin 980 auraient une fréquence d’horloge maximale de 2,8 GHz. Idem pour les quatre autres cœurs Cortex-A55.

Le document mentionne aussi la configuration des Kirin 970 et Kirin 710 en vue d’une comparaison. Pour votre information, ce dernier a été officialisé il y a quelques jours. Gravé en 12 nm, il est venu remplacer le Kirin 652 et se positionne en tant que concurrent du Snapdragon 710.

Quant au futur SoC haut de gamme, c’est-à-dire le Kirin 980, les rumeurs actuelles évoquent aussi la présence d’un coprocesseur dédié à l’intelligence artificielle et reposant sur une technologie développée par la start-up chinoise Cambricorn.

Un GPU 1,5 fois plus rapide que l’Adreno 630

Les spéculations suggèrent également une gravure en 7 nm pour le Kirin 980. Une caractéristique qui ne devrait pas vraiment nous étonner étant donné que le Snapdragon 855 sera également gravé en 7 nm afin de gagner en efficacité.

Autre information majeure à propos du Kirin 980, les bruits de couloir avancent la présence d’un processeur graphique conçu par HiSilicon lui-même et 1,5 fois plus rapide que l’Adreno 630, le GPU qui accompagne le Snapdragon 845.

Au passage, il convient de noter que comme son prédécesseur l’année dernière, le futur SoC haut de gamme du  fondeur chinois devrait être dévoilé au cours du salon IFA de Berlin qui se déroulera du 31 août au 5 septembre prochain.

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